为推动我国集成电路制造产业的发展，提升我国集成电路制造装备、工艺及材料技术的自主创新能力，充分调动国内力量为重大专项的有效实施发挥作用，国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”根据实施方案和“十二五”实施计划，安排一批拟于2013年启动的项目在全国公开发布，通过竞争择优方式选择优势单位，组织产学研用联盟承担项目。
一、项目申请范围
根据附件1列出的项目指南说明，进行项目申请，编制《项目申报书》。
二、项目申报与组织方式
由专项实施管理办公室组织，指南通过科技部、北京市经信委、上海市科委网站公开发布。
申请单位编制项目申报材料，由行业主管部门或各省（计划单列市）科委（厅、局）汇总后统一报送专项实施管理办公室。汇总上报的主管部门需出具正式呈报公函（含项目清单、申报概算表）和落实地方资金的承诺。
专项实施管理办公室对各地方（部门）申报项目进行汇总后，由专项总体组组织专家进行申请材料初审，筛选符合指南要求的单位提交专项办公室，由专项办公室组织评审委员会进行正式评审和重点项目复审，依据评审结果择优委托主承担单位，在专项总体组指导下组织产业联盟和产学研用联盟承担项目。
三、项目申报单位基本要求
1.在中国境内注册的中资控股企业，注册资本为申请国拨经费的10%以上。
2.具备独立法人资格的科研院所和高校等事业单位。
3.同一单位本次主承担项目原则上不超过2项。同一个人负责项目及下设课题/子课题不能超过1项，参与项目不能超过1项。
四、资金集成要求
有资金集成要求的项目，需由地方政府或行业主管部门按照指南要求比例提供出资承诺。最终金额以项目立项后财政审核批复预算为依据。
五、报送要求
每个项目报送《项目申报书》纸质材料一式20份（具体要求见附件2）及电子版（光盘）1份（格式见附件3），以及其它材料（见附件4）。
六、联系方式
“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项实施管理办公室
联系人：张国铭、高华东、李言旭
联系电话：010－51530051，51530052
电子邮件：gaohuadong@sevenstar.com.cn
通讯地址：北京市海淀区知春路27号（大运村）量子芯座集成电路设计园403室
邮 编：100191
附件1
“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”
国家科技重大专项
2013年度课题申报指南
二○一二年五月
1. 项目任务：22/20nm先导产品工艺开发
项目编号：2013ZX02302
项目类别：工艺研发与产业化
项目目标：基于专项“十一五”支持的22纳米关键工艺项目的成果与进展，进入12英寸生产线上开发22/20nm低功耗先导产品工艺。（1）实现2-3种引导产品的成功开发，良率达到50%以上，集成度达到4×109 /cm2；（2）研发关键设备和材料（刻蚀机、ALD、颗粒检测等）并在工艺研发中得到应用和集成;（3）研究开发新结构器件模块、高k/金属栅工艺模块、源漏工艺模块及STI模块，低温选择性SiGe外延技术、浸没式双曝光、超低k（<2.5）材料相关工艺；（4）完成整个工艺模块的集成和模型开发；（5）联合设计用户共同开展研发，建立完整的设计单元库、模型参数库和IP库，形成完善的产品设计服务体系；（6）完成可制造性设计解决方案；（7）完成针对22/20nm产品工艺技术的知识产权分析，建立知识产权共享机制。2014年先导产品流片成功，可实现成套工艺的产业化转移及引导产品的生产，能够提供后续的工艺支持与服务，保障终端用户量产规模的持续提升。
项目承担单位要求：主承担单位要求是大型的集成电路制造企业，联合十一五“22nm关键工艺先导研究”的产学研联合体及专项先导技术研发中心共同承担。
组织实施方式：公开发布指南
资金来源：中央：地方：企业=1:0.5:0.5
执行期限：2013-2014
2. 项目任务：16/14nm关键工艺研究
项目编号：2013ZX02303
项目类别：工艺研发与产业化
项目目标：在专项“十一五”22nm关键工艺项目研发成果的基础上，开展16/14nm及以下技术代集成电路的关键核心技术研究，取得自主知识产权。（1）研究面向16/14nm及以下技术代的新型器件结构及相关模型，如TFET、FinFET、SGT、GAA等；（2）研究关键工艺技术，如刻蚀工艺及硅表面处理、离子注入、阈值电压调整、超薄栅介质与金属栅等；（3）研究新型互连结构和互连工艺；（4）研究新概念的有产业化前景的新型存储器；（5）研究实现16/14nm技术节点的光刻技术途径；（6）研究设计与工艺的协同实现技术；（7）针对16/14nm及以下先导工艺技术的知识产权及技术发展战略开展分析研究，建立知识产权共享机制；（8）同步支持16/14nm装备和材料的研发和应用，促进先进装备、材料与工艺的协同创新。（9）整合现有资源，筹建国家集成电路先导技术研发中心。
项目承担单位要求：主承担单位要求是“十一五”22nm关键工艺研发的参与单位，组织产学研联盟联合承担项目。
组织实施方式：公开发布指南
资金来源：中央：地方=1:0.5
执行期限：2013-2015
3.项目任务：智能电视关键芯片与高性能处理器的制造和核心IP
库开发及产业化
项目编号：2013ZX02304
项目类别：工艺研发与产业化
项目目标：根据智能电视和高性能处理器核心芯片应用需求，基于55-40纳米工艺平台，联合01专项相关课题的承担单位及国内高端设计公司共同开发LCD驱动、射频和移动多媒体处理、嵌入式处理器等关键芯片设计所需的一批IP核，探索IP共享机制，形成芯片量产。开发55-40nm工艺的高清显示驱动芯片、数字电视信道、信源及智能控制等芯片的量产制造工艺，以及可制造性设计与成品率提升技术。至2014年形成2万片以上销售。
项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的大型集成电路制造企业，联合01专项数字电视芯片承担单位及系统厂商，组织产学研联盟联合承担项目。
组织实施方式：公开发布指南
资金来源：中央：地方：企业=1:0.5:1
执行期限：2013-2014
4.项目任务：SiC电力电子器件集成制造技术研发与产业化
项目编号：2013ZX02305
项目类别：工艺研发与产业化
项目目标：面向太阳能发电、风力发电、燃料电池等分散电源系统的逆变器装置、高电压输出DC-DC转换器装置、马达驱动用逆变器装置、以及混合动力汽车、电动汽车、空调等白色家电、通信基站和服务器等配备的PFC电路，以及智能电网的发展，开发SiC电力电子材料与器件制造工艺、封装与模块集成制造技术，构建SiC电力电子材料、器件、模块与应用产业链，建立3-4英寸SiC 电力电子器件产品工艺平台，开发出600V、1200V、1700V等级SiC SBD工艺技术，实现600V/1A－20A、1200V/5A-30A、1700V/25A系列SiC SBD器件产业化；研发600V－1200V /5A－30A系列SiC MOSFET器件工艺，3300V－4500V SiC PiN二极管工艺；基于国产的SiC SBD和硅基IGBT芯片研制出高效功率模块，实现在机车牵引和电动汽车等领域示范应用。建立开放的SiC电力电子器件工艺制造和模块封装平台，支持国产SiC材料的应用。为科技部、工信部等相关SiC电力电子器件发展计划提供制造服务和支撑。
项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的大型制造企业，并组织产学研联盟联合承担项目。
组织实施方式：公开发布指南
资金来源：中央：地方：企业=1:0.5:1
执行期限：2013-2015
备注：与01专项SiC研发项目互动。
5. 项目任务：面向移动终端和物联网的智能传感器产品制造与封装一体化集成技术
项目编号：2013ZX02306
项目类别：工艺研发与产业化
项目目标：面向移动智能终端和物联网等战略性新兴产业应用，研究开发多维智能传感器芯片（包括加速度计、陀螺仪、地磁传感器等多种传感器）的集成设计、制造与封装技术。1）内嵌EEPROM或Flash，研发制造关键技术、产品工艺；2）研发并建立与上述多维传感器芯片相关的封装能力，如LGA封装、信号处理芯片与传感器芯片的堆叠封装；3）建立相关传感器的信号处理芯片的设计能力、测试评价系统和多维度智能传感器的工程应用能力。实现多维传感器的大规模生产， 达到年5000万只（组）以上的销售。
项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业，并组织产学研联盟联合承担项目。
组织实施方式：公开发布指南
资金来源：中央：地方：企业=1:0.5:1
执行期限：2013-2015
6. 项目任务：硅基异质材料多功能融合的器件工艺技术研究
项目编号： 2013ZX02308
项目类别： 工艺研发与产业化
项目目标： 利用硅半导体工艺技术，研发满足 IC 要求的高质量 Si 上 GaN 材料，以及基于 Si 上 GaN 的高性能异质器件融合技术。突破满足器件和集成电路要求的 Si 上 GaN 材料关键制备技术， 开发基于硅上GaN 的集成电路工艺制造技术；研究基于Si 上GaN 集成电路所需的新结构器件；开展基于 Si 上 GaN 的高效功率转换集成电路、射频功率器件和高性能开关等器件设计和工艺技术研究，并完成 5 种基于硅上 GaN 的高性能电子器件和电路研发。在异质材料融合、器件多功能集成技术领域开展前沿和交叉技术研究，探索延展硅集成电路发展的新途径。
项目承担单位要求： 主承担单位要求是独立法人的企事业单位，并组织相关优势单位联合承担项目，联合承担单位不超过5家。
组织实施方式：公开发布指南
资金来源：国拨资金
执行期限：2013-2015
7.项目任务：高纯电子气体研发与产业化
项目编号：2013ZX02401
项目类别：材料研发与产业化
项目目标：研究开发集成电路制造工艺用特种电子气体制备关键共性技术，开发IC制造过程外延、离子注入、扩散、蚀刻、沉积、清洗等关键工艺用电子气体和源产品，使关键产品技术指标达到8英寸0.25-0.13微米和12英寸65-32纳米生产工艺要求，形成批量生产能力并建立气体配送与服务体系，满足客户要求。构建支撑我国特种电子气体技术发展的人才团队和研发平台，为该领域持续发展奠定基础。
项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业，并组织产学研联盟联合承担项目。
组织实施方式：公开发布指南
资金来源：中央：地方：企业=1:0.5:1
执行期限：2013-2015
8. 项目任务：集成电路制造用掩模制备技术
项目编号：2013ZX02402
项目类别：材料研发与产业化
项目目标：开发集成电路用掩模制备成套技术，掩模版分辨率、CD均匀性、缺陷控制等达到65-32纳米集成电路光刻工艺要求；形成为国内集成电路生产厂进行掩模版批量配套生产能力；为国内高端集成电路技术开发提供掩模版技术服务；满足集成电路设计和制造公司需求。构建支撑我国掩模版技术发展的人才团队和研发平台，为该领域持续发展奠定基础。
项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业，并组织产学研联盟联合承担项目。
组织实施方式：公开发布指南
资金来源：中央：地方：企业=1:0.5:1
执行期限：2013-2015
9. 项目任务：高密度封装倒装芯片基板产品开发与产业化
项目编号：2013ZX02502
项目类别：封测研发与产业化
项目目标：研究开发FC-CSP、FC-BGA、基于FC技术的SiP/PoP等倒装焊封装基板技术；开发半加成精细线路制造技术，实现线宽为15um的倒装焊封装基板量产，具备为主流ATE机型提供Probe Card，Load Board的制造能力，层数大于20层，高厚径比（达到25:1）IC测试板制造工艺。配合完成基于FC工艺的SIP/POP自主设计与MPP封装20套以上；实现Probe Card，Load Board组装与测试20套；实现3种以上主流ATE机型测试设计并为一种以上国产机型提供服务；2014年产值达到5000万元以上；2015年达到3亿元以上；2016年达产后可实现9亿元以上产值。
项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业，并组织产学研联盟联合承担项目。
组织实施方式：公开发布指南
资金来源：中央：地方：企业=1:0.5:1
执行期限：2013-2015
10.项目任务：高密度陶瓷管壳系列产品开发与产业化
项目编号：2013ZX02503
项目类别：封测研发与产业化
项目目标：研究开发高铁、智能电网和新能源产业用大功率、高导热、低损耗以及微波通信系统需求的系列陶瓷管壳，满足高密度、大功率以及高集成化电磁屏蔽和通道隔离等陶瓷封装需求，开发可靠的陶瓷材料与成套的系统集成封装技术，并形成生产能力，提高产品市场竞争力。提升高密度陶瓷封装管壳制造技术，最高引出端数达到1500-2000Pin；满足IGBT与微波通信系统封装企业要求，并形成批量供货能力；培育并建立高档陶瓷封装管壳技术创新和产业发展人才团队。
项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业，并组织产学研联盟联合承担项目。
组织实施方式：公开发布指南
资金来源：中央：地方：企业=1:0.5:1
执行期限：2013-2015