LG电子(LG Electronics)为了强化行动应用处理器(AP)业务，计划挑战16奈米制程，以提升该公司智慧手机的竞争力，并强化在半导体界的重要性，据传16奈米晶片将在今年底或明年初交由台积电(2330)试产。
韩媒etnews 1日报导，消息人士透露，LG电子继28奈米的Odin晶片之后，再接再厉开发16奈米，预定今年底或明年初台积电量产16奈米FinFET(鳍式场效电晶体)时，开始投入试产。LG电子先前研发的28奈米晶片，也由台积电代工，将在第三季或今年底前用于LG智慧手机。
一般认为，LG电子完全仰赖高通(Qualcomm)供应AP，自行研发是为了分散供应链，并取得议价优势。不过内情人士指出，LG电子推动AP业务，是为了中长期开发高阶 AP晶片，将会持续提升独立研发的AP性能；要是该公司一如预期顺利量产16奈米AP，可望在韩国半导体业更有影响力。三星电子也研发AP，但是近年来三星高阶智慧机越来越少采用三星自制AP。
韩国时报(Korea Times)6月22日报导，LG零件供应商表示，LG电子最近决定将旗下Odin行动应用处理器(AP)从7月延至10月量产，这款晶片仅支援full HD画质。这名人士透露，Odin晶片原本计划用于G3，但是G3提前推出，画质高达quad HD(2k)，只好改用高通(Qualcomm)的Snapdragon 801晶片。
LG电子内部人士指出，Odin八核心晶片有过热问题，这款晶片采用安谋(ARM)的big.LITTLE架构，以Cortex A15四核搭配低功耗的Cortax A7四核。他表示，LG必须提升Odin晶片效能，支援quad HD画质，因为智慧机大厂争相推出quad HD行动装置。LG最近才并购了SiliconWorks，拓展晶片相关业务。
(来源：精实新闻）