南韩三星电子(Samsung Electronics)第2季NAND Flash营收比前季增加8.2%，营收市占率也比第1季上升0.8%。以超前竞争业者不少的3D V-NAND技术力为基础，意味「Fast Mover」战略在NAND Flash市场上奏效。

3D V-NAND是以3D堆叠技术增加存储器储存空间，因为能突破10纳米微细制程的限制，成为业界瞩目的一项创新技术，目前只有三星电子投入量产。业界人士 表示，传统水平结构的NAND Flash晶片，尺寸就算小于15纳米，都很难增加到256GB以上容量，但3D垂直堆叠方式，理论上可达到4,100GB以上。

更多在小型移动装置的资料处理量增加、因巨量资料产生的伺服器需求上升等因素影响下，3D V-NAND市场可望急速成长，带动三星电子市占率继续升高。

据Digital Times报导，三星电子「Fast Mover」战略乃是以全球最早量产的3D垂直架构NAND Flash提高市占率。依照市调机构的数据，三星电子第2季NAND Flash营收23.53亿美元，比前季增加8.2%。营收市占率也比第1季上升0.8%，达30.8%。

另一方面，市占率第二名的东芝(Toshiba)，第2季营收比前季成长1.2%，但市占率20.5%，比前季下滑0.9%。

市调机构IHS iSuppli预估，3D V-NAND在2014年第2季市占率为0.2%，销售量将以第3季0.5%、第4季1.1%的水准快速成长，2015年底可望达全体市场的9.1%，而这个数字短期内将由唯一的生产业者三星电子独享。

三星电子2013年8月首度量产V-NAND，2014年5月投入量产24层的新一代V-NAND，8月又发表业界最早应用TLC(Triple-Level Cell)技术的32层TLC V -NAND。业界也预期，三星电子将在2016年完成48层产品开发。

反观竞争对手东芝要到2015年下半，才有机会推出24层产品；SK海力士(SK Hynix) 、英特尔(Intel)与美光(Micron)的合资企业IMFT，也预定在2015年初投入24层产品量产，显见三星电子的技术力已超前竞争对手不少。

不过，最近东芝也批评三星电子，表示32层与水平NAND Flash的性能差异不大，反而会增加成本。三星之所以量产未完成的3D V-NAND，意在操弄市场品牌策略。此番言论也可看出东芝等竞争业者，对三星电子的移动相当紧张。

（来源：DIGITIMES）