NAND Flash由平面2D制程走向3D制程的军备竞赛，随着三星10月9日正式宣布量产32奈米32层的128Gb 3D V-NAND晶片后，正式揭开序幕，包括东芝／新帝、SK海力士、美光／英特尔等均将在2015年开始投产3D NAND。业者指出，3D NAND单颗晶片容量快速拉高且价格便宜，明年NAND Flash价格跌势难止。

NAND Flash厂今年进入1ynm世代后，制程微缩难度更大，不断垫高成本，由于2D NAND的可量产制程微缩到12奈米后就会遇到物理瓶颈，为了降低生产成本及扩大单颗晶片容量，包括三星、东芝／新帝、SK海力士、美光／英特尔等四大阵营，均开始着手布局3D NAND技术及产能，2015年将是3D NAND市场起飞元年。

虽然3D NAND的量产难度高，且稳定性也不易掌握，但在三星成功量产32奈米3D NAND之后，显然3D NAND已经达到可量产阶段。三星在10月9日宣布采用32奈米推叠32层的128Gb 3D V-NAND进入量产，且明年制程微缩至24奈米并拉高堆叠36层，单颗V-NAND晶片容量理论值可上看1Tb（约1024Gb），不仅可望推动固态硬碟（SSD）取代传统硬碟速度加快，NAND Flash价格会有更明显的下跌。

三星还宣布，此次推出32层TLC规格V-NAND，可以大幅提高生产效率，特别是与10奈米TLC规格2D NAND相较，新的V-NAND可以让现有产能增加一倍。业者指出，三星此举等于宣告3D NAND的世代已经到来，竞争同业势必会在明年全面抢进3D NAND市场。

东芝已经开始着手进行3D NAND技术研发及产能扩建，Fab5第2期将在明年开始投产，采用自行开发的管道成形位元可变成本（P-BiCS）技术，预估明年下半年将进入量产阶段。美光在今年第2季就已经开始对客户进行3D NAND送样，但还未决定真正量产时间，不过设备业者预估应在明年中旬。SK海力士则利用微调重直堆叠阵列电晶体（VSAT）技术来生产，并指出明年就会进入量产阶段。

模组业者指出，2015年仍会以2D NAND为主流，但3D NAND将在明年成为兵家必争之地，2016年就会是3D NAND产能大量开出的一年。由于3D NAND理论上可以用32/24奈米生产出1Tb的高容量NAND晶片，将直接改变NAND Flash市场的价格结构，每1Gb平均价格将由2D NAND时代的0.3～0.5美元，3D NAND时代直接降至0.1美元，代表未来几年NAND Flash市场将会是价格快速走跌的红海市场。

（来源: 工商时报）