东芝终于开始投产三维NAND闪存“BiCS（Bit-Cost Scalable）”了。该公司已从2015年3月26日开始面向企业级SSD等高端用途样品供货。将在2015年夏季～年底开始少量量产，2016年上半年开始正式量产。同一天，东芝在东京都内举行了面向新闻媒体的说明会。

此次开始样品供货的是层积了48层存储单元的128Gbit产品，导入了2bit/cell（MLC：Multi-Level Cell）多值化技术。128Gbit存储容量相当于现有平面构造NAND闪存的最大容量。芯片面积小于相同存储容量的平面NAND。

128Gbit产品的性能也比较高，连续写入速度为80MB/秒、连续读取速度为533MB/秒。写入速度逼近平面NAND（40M～50MB/秒）的2倍。东芝半导体与存储器产品公司存储器总工程师吉川进表示，擦写次数“取决于产品标准，实际数值将超过企业级用途的（平面NAND的）10K Cycle（1万次）”。据介绍，三维NAND可以纵向获得bit密度，由此与平面NAND相比就可以放宽水平方向的设计规则，所以才能获得这些特性。

课题在于成本，首先将用于高端用途

此次的样品供货主要面向与成本相比更重视性能的高端SSD。关于智能手机、平板电脑和存储卡等重视成本的消费类途，吉川仅表示“如果有订单的话，我们也会接下来”。

东芝四日市工厂的第5制造厂房二期工程已于2014年9月竣工并启用。这里已经构筑了三维NAND的试产线，将在2015年夏季以后利用这条试产线开始少量量产。2014年9月开工建设的三维NAND专用制造厂房将在2016年上半年竣工。东芝将利用这个制造厂房正式开始量产三维NAND。

吉川表示，今后“将进一步增加层积数量以降低成本，同时推进3bit/cell（TLC：Triple Level Cell）化。我们认为这是一项在几代工艺中具有可扩展性（Scalability）的技术”。目前，业界普遍认为100层以上多层层积的难度相当大，不过以前平面NAND“也有很多时候看不到微细化的未来前景。每到这种时候，我们都克服了技术课题”。

虽落后于三星，但“重视完成度”

东芝在2007年发布了BiCS的基本理念，一直着眼于平面NAND的微细化极限推进开发工作。该公司最大的竞争对手——韩国三星电子透露称，已从2013年8月开始量产24层层积的三维NAND、2014年5月开始量产32层层积的三维NAND（参阅本站报道1、本站报道2）。三星已经实现了导入TLC的32层层积128Gbit产品。

而东芝则注重提高作为技术核心的成膜以及蚀刻工艺的完成度，目前可以一次层积48层存储单元。由此，可实现与平面NAND的最尖端产品——“15nm工艺产品同等的成本。层积数量少于48层时没有成本优势，所以此前没有投产三维NAND”（东芝的吉川）。

东芝以前就对平面NAND的最尖端产品——15nm工艺产品的成本竞争力表现出了很大的自信，目前以15nm工艺产品为主力。三维NAND要想在消费类领域等多种用途中取代15nm工艺产品，恐怕还需要一段时间。据介绍，东芝还没有放弃平面NAND的微细化。关于15nm工艺以后的微细化，吉川表示“目前正在探讨技术上的（实现可行性）”。

（来源: 中国电子报）