SK海力士(SKHynix)抢进20奈米级制程进展迅速！SK海力士当年引进38奈米制程，已在四年后停止30奈米级生产，全数转为20奈米级制程。SK海力士表示，最快在今年7月可迈入量产。

韩媒BusinessKorea13日报导，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程约占该公司DRAM生产的8%，预计2015年下半改为2zDRAM(20奈米级)制程。业界消息称，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士总生产的82%。DRAMeXchange预估，SK海力士将在今年Q3进入2z制程，明年迈上轨道。

相较之下，30奈米制程仍占美光(Micron)产能的40%、南亚科(2408)的90%。目前20奈米DRAM制程以三星电子领先，目前约占产出20%，预估今年内将拉升至50%。DRAMeXchange估计，三星DRAM生产中，25奈米生产占57%、20奈米占23%、35奈米占20%。

科技网站kitguru.net先前报导，SK海力士3月20日举行股东会，社长朴星昱（ParkSung-wook）宣誓，20奈米级DRAM最快可能在今年7月迈入量产，将可在高端产品赶上三星与美光等竞争者。

韩媒etnews7日报导，据了解SK海力士的清州(Cheongju)M8厂提供系统半导体的晶圆代工服务，SK海力士正在调整该厂产线，增加晶圆生产种类。M8厂专门生产非记忆体晶片，目前主要制造CMOS238影像感测器(CIS)、电源管理IC、显示器驱动IC等。

etnews称，SK海力士似乎决定把部分系统半导体，如CIS等，从8寸厂移往12寸厂生产，8寸厂将用于制造新的非记忆晶片。据悉LineM8厂将维持8寸制程，用于制造更多种类晶片，计划将小规模生产，因应物联网等兴起后的多样化非记忆体晶片需求。

（来源:精实新闻）