8月3日，SanDisk公司宣布推出的全球首款256Gb3-bit-per-cell(X3)架构48层的3DNAND芯片，将与合作伙伴东芝在日本四日市开始试产。

SanDisk存储技术执行副总裁Dr.SivaSivaram表示，“对于我们第一款3DNAND芯片开始量产我们感到很高兴，我们第一款256GbTLC3DNAND芯片，采用行业领先的48层BiCS技术，同时SanDisk将持续发展TLC技术，为客户提供极具效益的存储解决方案。

SanDiskBICS3D技术可持续性的提高3DNAND容量，同时具有更强的写/擦除耐力，写入速度也相对于传统的2DNAND更具效率。

SanDisk256GbTLCBICS芯片应用领域广泛，包括消费级、移动/企业级等客户，并预计将于2016年出货。

（来源：中国闪存市场）