晶园工艺
 
高通新品 三星14纳米夺单
 2015-9-6
 

手机晶片大厂高通昨(3)日发表旗舰手机晶片Snapdragon 820处理器,确定采用三星14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)製程,也代表台积电失去这个产品的代工订单。不过,高通其它中低阶主流级产品仍由台积电28纳米代工生产。

 

高通Snapdragon 820处理器是专为顶级行动装置所设计,可满足消费者对创新的期待以及OEM厂求轻巧极薄的目标,行动处理器的设计将要能满足不断提升的运算需求,且同时减少耗电并维持比以往更低的温度。

 

Snapdragon 820采用高度优化的Kyro架构客製化核心,适合异质运算功能,可结合系统单晶片上不同功能的中央处理器(CPU)、绘图处理器(GPU)、数位讯号处理器(DSP)等核心,达到前所未见的效能及省电能力,不需由同一核心来应付各种任务。

 

高通Snapdragon 820处理器采用三星14纳米FinFET製程生产,搭载2.2GHz四核心及1.7GHz四核心处理器,速率最高可达2.2GHz,能提供较上一代Snapdragon 810处理器高出两倍的效能表现及用电效率。

 

市场先前传出高通会把多款手机晶片,交由中芯、三星、格罗方德(GlobalFoundries)代工,但根据高通至今推出的中低阶主流产品,包括Snapdragon 212/415/620等,仍然采用台积电28纳米製程生产。就连下半年推出的改版Snapdragon 616/412等中低阶手机晶片,同样全数采用台积电28纳米低功耗製程生产

 

苹果新iPhone仍采用高通MDM9X35型号Gobi数据机基频晶片,采用台积电20纳米製程生产,投片量已拉高到2万片规模。另外,高通与台积电已完成16纳米Snapdragon处理器的设计定案(tape-out),28纳米手机晶片都会在明年进入16纳米生产,所以,高通明年的旗舰手机晶片仍有机会回到台积电手中。

 

(出自:工商时报)