无锡新洁能股份有限公司推出85～150V Super Trench MOSFET系列产品，采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽（Shield Gate Deep Trench）技术，具有极低的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg），在大功率电动车控制器、电动工具电源等行业，具有较好的温度特性和可靠性表现。

相比市场上普通沟槽型MOSFET，新洁能Super Trench MOSFET导通电阻Rdson降低了约37%，品质因子FOM(Rdson*Qg)降低了约45%。在与国外知名公司产品的对比中，新洁能Super Trench MOSFET在导通电阻Rdson、品质因子FOM、UIS等关键参数上，具有较强的竞争力。

Super Trench技术贡献了更优的导通电阻温度特性，有效控制了MOSFET导通电阻随温度增加而上升的幅度。以100V产品为例，器件175℃下的导通电阻倍增因子（Rdson@Tc=175℃/ Rdson@Tc=25℃）仅2.09，同比普通沟槽型MOSFET（导通电阻倍增因子2.29）降低了8.7%。换言之，在同样的高温严酷环境下，新洁能Super Trench MOSFET的电流能力更大，抗冲击能力更强，实现了高速、平稳、高效的电源管理。

此外，新洁能Super Trench MOSFET具备快速柔软恢复的体二极管特性，压制了同步整流中的电压尖峰，提高了器件在AC/DC电源的同步整流中的开关速度；且较低的Crss/Ciss增强了器件的抗EMI能力。这些优势使得器件应用在交流/直流电源的同步整流、直流电机驱动、电池充电器和电池保护电路、逆变器、36~96V系统中的马达控制、隔离的直流-直流转换器、不间断电源等领域，相比于普通沟槽性MOSFET, 有显著的性能优势。

目前， 85V、100V、150V Super Trench MOSFET产品已实现稳定量产，有TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN5*6等多种封装形式可供选择，产品符合RoHS标准。

（来源：新洁能）