2015中国集成电路促进大会近日于厦门成功举行，会后武汉新芯执行副总裁，营运长洪沨博士就公司现状和存储器发展与集微网记者做了深度交流。

首先，对于武汉新芯的制造技术是否拥有自主知识产权，洪沨博士给出了肯定的回答。武汉新芯选择与美国Spansion展开3DNAND联合技术的开发合作，双方在知识产权方面实现共享。这是因为Spansion并未处于当前NANDFlash主流市场的四家厂商之一，而且3DNAND的核心技术源自于Spansion，两家可以通过合作的方式快速发展。有记者追问为什么不选择与三星合作?洪沨博士反问，你觉得三星会跟你合作吗，三星目前在3DNAND技术上已经遥遥领先，不会帮助你成为他的竞争者的。

今年5月，武汉新芯宣布其3DNAND项目研发取得突破性成果，第一个存储测试芯片通过存储器功能的电学验证。目前，在更高阶层的工艺研发及存储单元性能上，都取得了更多重要进展。以现有技术发展状况和2017年预计完成先导产品的研发，进入3DNAND闪存主流技术梯队的市场目标来看，洪沨博士认为武汉新芯3DNAND在技术上与三星只有1-2年的差距而已。

ICInsight报告显示，2DNANDFlash产品的出货量将从2015年开始以每年17.1%的速度快速下降，3DNANDFlash产品的出货量将以200%的年均复合增长率递增，预计2020年达到NANDFlash总量的70%的水平。洪沨博士相信，至少在未来十年内3DNAND都会发展下去，即使英特尔最新3DXpoint技术发展起来，对3DNAND也不会产生直接影响的。

洪沨博士指出，存储器行业与其他行业不同，它的颠覆性技术很多，需要一个破坏性的技术来打破现状。就像英特尔美光推出的最新3DXpoint技术，业内给予巨大的关心，但就行业人士目前若掌握的情况来看，从存储单元的技术来看，3DXpoint其实就是PCM技术，也叫相变存储器，概念是可以做的，但许多困难难在量产上，它的应用范围也相对较窄。英特尔掌握了关键技术，大张旗鼓的量产，具体情况仍有待观察。据传英特尔将在大连厂试产3DXpoint存储器。未来存储器技术将会是一个多项并存的局面，3DXpoint即便得到技术改进，有可能挤进主流市场，但更偏向DRAM这部分，与3DNAND不会产生交集。

日前，关于国家大基金募集240亿美元投资武汉新芯的消息不绝于耳，也是集微网作为行业媒体最为关心的话题。洪沨博士以该消息目前还未正式发布为由作答，称传闻只是传闻而已。但洪沨博士隐晦的说道，若要实现每月30万片的产能，大致算下需要这么多钱。武汉新芯项目是以基金的方式来做的，同时引入国外基金进来，但所有权完全是国家的。

目前全球集成电路行业的整合模式盛行，当然也包括存储器行业。存储器行业对规模和产业链的环境要求越来越高，需要软硬件结合，把规模做大，把产业链做强。洪沨指出，在存储器上，用代工的形式做大基本上没有成功过，武汉新芯要走IDM的模式，或者虚拟IDM的模式，把产业链做为一个非常紧密的整合，大家共同增长一起进步。

面临紫光集团接连在存储器领域出手布局，洪沨博士表示不便评价这一部分。从现在形势来看，大家都抱着各自美好的愿望，希望中国在存储器项目中走出来，这是个好事情。中国想要做成这样既难又大的项目，更需要集中资源，不排除未来可能走到一起的可能性。尤其在现阶段看来不实坏事。这个社会需要有些人做比较大胆，比较实在的事情。我们完完全全在做技术研发，从最基础的做起、扩产，做我们该做的事情，我们做我们拿手的事情，他们做他们拿手的事情。

但对于东芝和闪迪的共同体部分，洪沨博士评价道指出，虽然目前东芝和闪迪目前在NANDFlash领域遥遥领先，但一旦共同体出现问题，市场必将重新调整。目前东芝和闪迪各自都有着各自的问题，对共同体来说具有破坏性作用。

未来3DNANDFlash在物联网、大数据、云计算等领域的应用广泛，任何方面都会有需求。洪沨博士表示我们必须靠自己的力量和才能，单靠买技术是不行的，要在自己有技术主导的基础上去谈判谈合作。我们希望未来五年，武汉新芯能够进入主流NAND生产厂商，与除三星外的其他厂商齐名，甚至领先他们。

（来源：集微网）