晶园工艺
 
闪迪48层3D NAND芯片明年量产
 2015-12-8
 

日前,闪迪发布了256 GB 3位元型(X3)48层3D NAND芯片,并携手其合作伙伴东芝公司在日本四日市启动3D NAND试产线。闪迪全球技术开发部副总裁陈健近日表示,目前闪迪与产业链下游合作伙伴适配进展非常顺利,预计明年量产。

 

据了解,闪迪3D NAND采用的是BiCS非易失性存储器架构,可以提高存储密度、可扩展性和性能,还具备更好的写/擦耐久力、更快的写入速度和更高的能效。作为闪迪3D NAND量产专用设施,东芝和闪迪在两家公司共同运营的四日市工厂第二厂房已有部分竣工,两公司已签订了共同实施设备投资的正式协议。

 

(来源:中国电子报)