三星电子宣布开始量产全球第一个4GB DRAM封装，采用第二代高带宽存储器接口，用于高性能运算HPC,先进图像和网络及企业级服务器。

最新的4GB HBM2 DRAM采用它的20nm技术，据报道它比现有的DRAM快七倍。

4GB HBM2封装它的底部是采用堆叠的一个buffer die,及4个8 gigabit(GB)的核心芯片在顶部。

它们之间采用TSV孔及微球互连。每单个8Gb HBM2 芯片包含5000个以上的TSV孔，它相比上一代TSV DDR4芯片的孔要多36倍以上,因此相比传统的引线键合封装能提供更快的数据传输。

三星新的DRAM封装可达256Gb带宽，它相比HBM1 DRAM带宽增加一倍。它相当于目前DRAM芯片中最快数据传输速率,每pin 9Gbps的4Gb GDDR5 DRAM芯片,有36Gb的带宽要快七倍以上。三星的4Gb HBM2同样也能相比于4Gb-GDDR5基的DRAM,具有ECC(误差修正编码),功能上提供更高的可靠性,以及每瓦的带宽增加一倍。

三星计划在未来12个月内量产8GB HBM2 DRAM,预计它比GDDR5 DRAM可以空间尺寸缩小95%。

第二代HBM(HBM2)技术采用JESD235A标准。它采用128 bit DDR接口,1024-bit I/O,1.2V I/O及处理器。与HBM1一样,HBM2同样支持,2,4或者8个(2Hi,4Hi,8Hi堆叠)DRAM器件与逻辑IC 芯片封装在一起。HBM第二代有扩充DRAM的能力,采用8Gb的堆叠芯片,支持传输速率每pin 1.6Gb/s至2Gb/s。

（来源：中国电子报、电子信息产业网）