DRAM价格持续下滑造成内存业者获利更加艰辛，韩厂以先进微细制程降低生产成本，寻求业绩改善空间。继三星电子(Samsung Electronics)率先进入18奈米制程量产之后，SK海力士(SK Hynix)也将提高2z奈米制程DRAM比重，加速研发1x奈米制程。

据ET News报导，SK海力士财务本部长李明英(音译)表示，从2015年下半DRAM市场开始发生供给过剩的问题，主要是因为需求大幅减少所致，未来将设法优先提高成本竞争力，以求改善业绩。

三星目前已将20奈米作为生产DRAM的主要制程，不仅如此，最近也开始进入18奈米制程量产。因此，尽管面对DRAM价格持续下跌，三星还是能在同业中维持受影响程度最少。这可归功于提前转换微细制程，才能降低成本获取利润。

SK海力士也打算采取相同策略降低成本，将2z奈米制程的DRAM扩大应用到PC及行动装置等领域，并加速研发1x奈米DRAM技术。SK海力士DRAM营销组长朴来学(音译)表示，预估在2016年底时，2z奈米制程DRAM比重将达到最高。

另一方面，SK海力士NAND Flash也将转换成14奈米制程，目标2016年下半完成第三代(48层)NAND Flash研发并进入量产，以提高3D NAND Flash产品竞争力。

SK海力士Flash营销组长金荣来(音译)表示，目标在第2季完成第三代3D NAND Flash的内部单品认证，并生产搭载第三代3D NAND Flash固态硬盘(SSD)的工程测试样品，准备在2016年下半进入正式量产。

目前预估2016年SK海力士进行的设备投资将少于2015年的6.6兆韩元(约57.43亿美元)。

李明英表示，减少DRAM工厂的部分投资将以增加投资研发设备来取代，加强研发1x奈米DRAM制程。位于南韩利川的3D NAND Flash厂房(M14)兴建计划会在2016年下半动工，暂订2017年上半完工，但工程进度会依照市场变化随时进行调整。

（来源：DIGITIMES）