摩根大通证券指出，目前记忆体市场需求呈现“NAND强、DRAM弱”态势，将今年记忆体产业营收成长率预估值由-6%调降至逾-10%，预料明年NAND产业市场规模将会首度超越DRAM产业。

摩根大通证券亚太区半导体首席分析师J.J.Park根据今年以来整体市况，及各大厂商在第1季新闻发布会所释出的讯息，将今年记忆体（NAND＋DRAM）产业营收成长率预估值由-6%调降至逾-10%，主因今年DRAM产业营收恐下滑逾20%。

J.J.Park表示，NAND市场从第3季起就会出现两位数的年营收成长率，主因苹果等高密度储存智能手机拉货需求与企业等SSD采用率增加。

至于DRAM产业，J.J.Park指出，尤其是龙头厂商三星今年DRAM业务的资本支出较去年大幅减少35%，致使整体产业资本支出下滑约20%，且需求若持续疲弱，-20%的数据还有下调空间，因此，今明两年整体DRAM供给成长率预估会维持在20%出头的水准。

从需求面来看，J.J.Park指出，PC市场疲弱（今年与明年NB市场年成长率预估分别为-9%与-3%），尽管部份可被智能手机与伺服器的需求成长所抵消，但整体而言，DRAM市场规模预估仍会从去年的450亿美元降至今年的350亿美元。

至于NAND市场，J.J.Park点出看法转趋乐观的原因包括：从供给面来看，以三星为主的厂商开始锁定3D NAND生产，预计占整体NAND生产颗粒比重将由今年的16~19%攀升至明年的50%，致使今年供给成长率上看40~45%；但从需求面来看，由于iPhone7储存容量较iPhone6S/iPhone6S Plus加倍（由16/64/128GB改为32/128/256GB），加上其他手机大厂也会陆续跟进，需求成长幅度将逾40%。

因此，J.J.Park预计明年NAND产业市场规模将会超越DRAM产业、为记忆体产业史上首次，NAND供应链接下来股价表现会优于DRAM供应链，看好三星与东芝将是下半年NAND产业波段行情的最大受惠者。

（来源：工商时报）