9月DRAM、NAND Flash合约价报价续涨，第4季除了标准型DRAM涨幅超乎预期外，利基型存储器及Mobile DRAM报价较上季上涨5%，DRAM合约报价将出现全面性上涨，优于市场预期。永丰金证券投顾认为，利基型存储器报价上涨将有利于相关厂商营运表现，加上Micron合并华亚科已进入收尾阶段，成功收购机率大，南亚科将取得20nm以下制程技术授权有利于长期发展，预期2017年在供给成长减弱、需求稳定成长下，供需结构依旧健康。

据全球市场研究机构TrendForce集邦科技资料显示，9月下旬DRAM模组合约报价较上月涨7~9%，8GB DDR4模组合约报价上涨至29美元，月增7.41%；4GB DDR4模组合约报价上涨至14.5美元，月增7.41%。8GB DDR3模组报价上涨至29美元，月增7.41%；4GB DDR3模组合约价上涨至14.5美元，月增7.41%；4Gb DDR3颗粒报价成长至1.5美元，月增8.7%；4Gb DDR4颗粒报价上涨至1.5美元，月增8.7%。

供需面上也依旧吃紧，主要DRAM制造厂商包含三星、SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron）目前20nm制程占产出已提升至70%，年底将上看80%，除2017年三星将部分产能转进18nm制程外，SK 海力士及美光将停留在20nm制程，2017年三星、美光、SK海力士主要仍以持续转进20nm制程为主，bit growth将放缓。在需求端方面，由于Microsoft（微软）于7月底~8月初取消先前制定的授权费政策，微软先前在Windows 10新授权费上，要求根据不同屏幕尺寸、存储器容量、HDD/SSD规格收取不同授权费，因此PC ODM厂在第3季、第4季推出的新机种有拉高DRAM容量，搭载8GB容量比重拉升，加上第4季PC、Server、智能手机整体需求不弱，因此推升DRAM需求。

因此DRAM Exchange预估第4季标准型DRAM合约报价将较上季涨超过20%，超乎市场预期，而第4季Server、Mobile及Specialty DRAM合约价各上涨5%，将呈现全面性上扬。2017年供给端bit growth年增率将放缓，需求面随着每台容量增加而稳定成长，预期2017年DRAM供需结构健康。9月NAND Flash合约报价续涨，主要是三星 Galaxy Note 7电池爆炸，Apple iPhone 7备货因此转向积极，且PC及渠道市场备货情况仍佳，9月2D NAND Flash仍有缺货的现象。展望第4季由于NAND Flash供需仍吃紧，预期合约报价仍将持续上涨。

（来源：台湾经济日报）