晶园工艺
 
Global Foundries落子成都,中国再添一座12英寸晶圆厂
 2017-2-13
 

2月10日,格芯(GLOBALFOUNDRIES)与成都市政府在成都高新区宣布合作,正式启动12英寸晶圆生产制造基地,投资规模累计超过100亿美元。就此,中国西南地区第一座12英寸晶圆厂开建。

 

据了解,本次投资包括93亿美元代工厂的投资,以及生态系统、基础设施等,加起来总投资额超过100亿美元。

 

“这将是中国最大的逻辑芯片代工厂,每年100万晶圆产量,也将是格芯在全球最大的工厂。”在采访中,格芯首席执行官Sanjay Jha表示。

 

根据不完全统计,我国目前有11座12英寸晶圆厂投产,包括SK海力士的2座、华力微的1座、联芯集成的1座、三星电子的1座、武汉新芯的1座、英特尔的1座、中芯国际的4座。

 

另外,新建的12英寸晶圆厂还有武汉新芯投资240亿美元的存储器基地项目、台积电南京的12英寸厂、福建晋华12英寸存储器集成电路生产线项目、中芯国际北方新建的B3厂、上海投资675亿元的12英寸晶圆产线、深圳的12英寸晶圆产线、上海华力微电子投资387亿元的上海新12英寸晶圆厂等。

 

引入22nm FD-SOI

 

“成都的12英寸晶圆生产基地未来月产能将达8.5万片。”GlobalFoundries新加坡运营部高级副总裁兼总经理KC Ang告诉《中国电子报》记者。

 

一期将建设主流CMOS工艺12英寸晶圆生产线,主要工艺为0.18um/0.13um,相关工艺技术主要从新加坡厂转来,设备也将有一部分来自新加坡,预计于2018年年底投产,月产能2万片。KC Ang表示,0.13um良率高、成本好,并且产能最紧张,可应用领域广,中国客户都希望他们尽快在成都生产。

 

“现在市场上对于0.18um/0.13um的需求还是非常大的。特别是一些电源和RF设计,很多还是在0.18um/0.13um上。”Sanjay Jha说。

 

二期将建设目前格芯最新的22FDX 22nm FD-SOI 工艺12英寸晶圆生产线,相关工艺将于2018年下半年从德国德累斯顿工厂Fab1进行技术转移,设备全新采购,预计2019年第四季度投产,月产能6.5万片。格芯将与成都一起建立生态系统,预计为成都引入较为完善的IPEDA设计服务,以更好地支持22FDX系统。

 

Sanjay Jha表示,一期和二期的投资比例大约为1:9,格芯没有计划在成都引入FinFET工艺,而是要在22nm FD-SOI的工艺上走下去。

 

目前,22nm FDX已在德国德累斯顿工厂进行少量量产,该工厂已经开始新一代12nm FDX的技术研发。据了解,引入中国工厂的22nm FD-SOI将主要应用在中低端智能手机、物联网、RF射频、汽车等方面,将先在德国厂进行工艺验证,成都厂建好后,再直接把需求带入成都。

 

成都抢亲?

 

去年5月31日,格芯曾与重庆市签署合作谅解备忘录,欲与重庆市政府成立合资企业,在中国新建一座12英寸晶圆厂。之后曾传出合作破裂的消息。如今,仍是建12英寸晶圆厂,合作方却转换成了成都市。

 

“成都可以同时进行0.18um/0.13um和22nmFDX两种不同的工艺制作路线,并且进行更大规模的生产,使生产更有效。另外,成都更适合发展Fab产业,让我们可以在成都当地共同创造出一个更大的电子产业。” Sanjay Jha表示。

 

此前,成都曾建立西部首个8英寸晶圆厂,但结局并不美好。如今,除今天已经宣布的格芯12英寸晶圆厂外,去年年底还曾传出紫光欲在成都建设12英寸晶圆厂的消息。

 

芯谋研究顾文军此前曾提出观点,认为Foundry做为重资产产业,12英寸晶圆厂动辄涉及几百亿元的投资、强大持续的经济实力、充沛专业的人才积累、全面扎实的产业基础、自主可控的市场需求、上下一致的决心信心、接连几届的政府支持,因此要谨慎同时启动两到三条12英寸晶圆厂。

 

全球调整布局

 

格芯是全球晶圆代工第二大厂商。按照IC Insights 的预测数据,2016年格芯仍以11%的市场占有率牢牢占据全球第二的位置,营收为55.45亿美元。相比来说,全球代工龙头台积电营收为294.88亿美元,市场占有率59%;第三名的台湾联华电子营收为45.82亿美元,市场占有率9%。

 

今天,格芯也公布了其全球制造业务版图的扩展计划。格芯计划在纽约工厂的14nm FinFET工艺产能提升20%,并将于2018年初启用一条全新的晶圆生产线;德国工厂将增加22nm FDX工艺的生产,预计未来三年产能将提升40%;新加坡工厂将增加35%的12英寸晶圆厂40nm工艺产能。

 

之所以这次在中国的12寸晶圆厂没有选择40nm/ 55nm工艺,是因为格芯已经看到一些40nm的需求向22nmFDX上转移。而格芯的新加坡厂已有40nm/55nm的生产,因此根据需求预测,在成熟工艺上格芯选择了0.18um/0.13um。

 

目前,格芯的22nm FD-SOI每年有120万晶圆的产量。“22nm FDX类似于FinFET性能,成本和28nm FinFET相当。我们正在研发的12nm FDX,但比FinFET小35%,性能提升25%。12nmFDX将于2018年第二季度流片,2019年生产。”Sanjay Jha指出。

 

格芯的14nm FinFET制程是引进三星技术授权,在7纳米上,格芯首席技术官Gary Patton也曾告诉《中国电子报》记者,未来将会专注于7纳米。本次,《中国电子报》记者也了解到,格芯纽约Fab8晶圆厂计划在2018年第二季度开始7纳米工艺生产。

 

(来源:中国电子报、电子信息产业网)