设备材料
 
国产半导体设备经受 “大生产”与国际诉讼考验
 2017-12-8
 

半导体设备国产化是实现国产化芯片最关键的一役,近期,包括北方华创、电科装备集团分别在立式氧化炉、化学机械抛光设备皆相继取得生产阶段性突破,尽管,面对国外厂家激烈竞争与商业兴讼围堵手段,国产设备厂家仍取得积极性进展。另方面,据业内人士透露,中微也将极积反击Veeco,为捍卫自有专利再攻下一城。

 

北方华创12吋立式氧化炉Move In长江存储

 

近日,北方华创下属子公司北方华创微电子自主研发的12吋立式氧化炉THEORISO302 Move In长江存储生产线,将应用于长江存储生产3D NANDFlash制程,扩展了国产立式氧化炉的应用领域。

 

THEORISO302立式氧化炉是北方华创微电子的一款成熟产品,已批量用于中芯国际、上海华力微芯片生产线,本次Move in长江存储生产线,显示其已全面覆盖应用于LOGIC、DRAM、NAND等产品工艺生产制程,成为客户的POR(Process of Record)机台(扩产优先采购机台)。

 

北方华创藉由半导体行业景气持续提升,顺利跨入晶圆厂主流装备供应商行列。目前包括12吋晶圆制造的刻蚀机、PVD、立式氧化炉、清洗机、LPCVD等设备和气体质量流量控制器等产品,都已批量进入了国内主流集成电路生产线。北方华创预计,到2018年,将有40多种装备可以通过生产一线用户认证,进入采购行列。

 

值得注意的是,其目前所承担的“02专项”16/14nm工艺制程设备也正在加速研发中。

 

国产自研CMP进入中芯大生产线

 

由中电科电子装备集团有限公司(简称“电科装备”)研发的国内首台拥有自主知识产权的8吋CMP(化学机械抛光)设备,近日也进入中芯天津8吋大生产线进行产线验证。这是国产CMP设备首次进入集成电路大生产线验证,填补了国产设备产线验证的空白。

 

CMP是集成电路硅片制造表面精细抛光的重要工艺制程,也是实现集成电路3D TSV封装工艺的关键工艺手段。

 

据介绍,这套国产8吋CMP设备由抛光、清洗、晶圆传输三大模块组成,按照国际标准设计,能够满足集成电路晶圆制造中所有复杂平坦化工艺需求,包括STI、ILD、contactor、metal line等;同时满足TSV、MEMS等领域平坦化工艺要求,适用于主流半导体材料包括氧化物、氮化物、硅、钨、铜、钽、铝等,以及特殊材料(如聚合物等)。

 

该套设备在交付前已经进行3个批次近一万片工艺试验,性能指标经中芯测试已经达到设备进厂在线验证要求,未来6个月进厂后将经受大生产的考验。

 

面对国际挑战 国产设备底气足

 

尽管屡传好消息,国产设备在国内晶圆厂的认证与生产都取得长足的进展,但同样的,也遭逢国际竞争者的挑战,并以诉讼作为商业竞争手段。

 

日前美国MOCVD(金属有机化合物气相沉积设备)设备厂Veeco向美国纽约东区地方法院提出针对SGL Carbon,LLC(SGL)禁令请求,禁止SGL出售采用Veeco专利技术的MOCVD使用的晶圆承载器(即石墨盘),包括专为中国MOCVD设备商中微半导体设计的石墨盘。

 

而中微在国内进行关键性的反击,日前,国家知识产权局专利复审委即作出审查决定,否决“Veeco上海”关于中微半导体专利无效的申请,确认中微半导体起诉Veeco上海专利侵权的涉案专利为有效专利。

 

事实上,中微半导体作为国产半导体装备的“领头羊”,已非首次遭逢专利官司的考验,而且“交手”的对象还都是国际一线大厂包括应用材料(Applied Materials)、科林研发(Lam Research)。

 

2007年10月,应用材料将中微半导体告上了美国法庭,指控中微侵权;但2010年,双方最终达成了和解,并解决了所有未决争议。其中,双方同意专利族将由双方共同拥有。

 

就在今年2017年,中微与科林研发历时长达8年的刻蚀机专利官司,中微控告其侵犯商业秘密,中微并取得了胜利。如今在LED装备领域再度遭逢Veeco严峻的官司挑战,这一次能否顺利过关?

 

ICWise半导体首席分析师顾文军则透露,中微在关于Veeco与SGL的官司上,似乎暂时判决对中微半导体不利,也起了业内对中微和LED公司的担心,但他也透露,很快就会有好消息,不必太过悲观。

 

(来源:DIGITIMES)