2018年1月23日，国家知识产权局专利复审委员会（以下简称“专利复审委”）作出审查决定书，认定美国维易科精密仪器有限公司（以下简称“Veeco美国”）的第ZL 01822507.1号、名称为“通过化学汽相沉积在晶片上生长外延层的无基座式反应器”的发明专利的全部权利要求因不具有新颖性和创造性而无效。

该被宣告无效的专利为2017年Veeco美国在美国纽约东区法院起诉中微的基片托盘供应商专利侵权的涉案美国专利（US 6,506,252、US 6,726,769）的中国同族专利。

中微半导体设备（上海）有限公司（以下简称“中微”）在刚开始研发自己的MOCVD产品技术时就已充分分析过此专利，中微发现该专利技术从20世纪60年代以来就被大量前置专利公开，因而应属无效专利。中微对该涉案专利的中国、韩国和美国同族专利均已提交了无效宣告请求。

“我非常高兴地看到，专利复审委基于我方提交的强有力的证据认定Veeco美国的专利无效。”中微资深副总裁、首席运营官兼MOCVD产品事业部总经理杜志游博士说：“我们有信心美国专利商标局和韩国知识产权局的专利审判和上诉委员会也能得出同样的结论。”

杜志游博士补充道：“一个可执行的专利权必须满足专利法要求。我们不能容忍Veeco美国试图以明显无效的专利来行使知识产权，通过起诉中微的基片托盘供应商达到限制竞争的商业目的。”

另一进展发生在2018年1月12日，依据中国法律，中国海关基于中微的第CN 202492576号专利（以下简称“中微专利”）采取了知识产权保护措施，暂时扣押了Veeco Asia公司进口至中国的两台涉嫌侵犯中微专利的EPIK700型号的MOCVD设备。针对此涉嫌侵权设备，中微正考虑采取后续法律行动，包括可能向中国法院提起专利侵权诉讼。

在此之前，2017年12月，福建省高级人民法院同意了中微针对Veeco上海的禁令申请，禁止其进口、制造、向任何第三方销售或许诺销售侵犯中微专利的任何化学气相沉积装置和用于该等装置的基片托盘。

中微董事长兼首席执行官尹志尧博士说：“中微不能容忍任何侵犯中微知识产权的行为。我们将严厉打击侵犯中微知识产权的行为，全力保护我们的知识产权投资。当然，我们更愿意集中精力在创新产品的研发和为客户提供优质服务上，而不是浪费时间和资源在法律诉讼上。”

尹志尧博士总结道：“中国LED产业不应当因Veeco美国、基片托盘供应商和中微之间的专利诉讼而受干扰和受损。因此，中微愿意达成一个有利于所有三方的解决方案。”

关于中微半导体设备有限公司

中微公司致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案。中微通过创新驱动自主研发的等离子体刻蚀设备和硅通孔刻蚀设备已在国际主要芯片制造和封测厂商的生产线上广泛应用于45纳米到7纳米及更先进的加工工艺和最先进的封装工艺。目前，正在亚洲地区40多条国际领先的生产线上运行的中微反应台（包括介质刻蚀、TSV和MOCVD）已超过800个。中微开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备也已在客户生产线投入量产。

（来源：中微半导体）