晶园工艺
 
再创新里程碑!厦门联芯28纳米HKMG试产良率达98%
 2018-3-27
 

继28纳米Poly/SiON制程技术成功量产以来,联芯集成电路制造(厦门)有限公司再次取得了技术发展上的新里程碑。据悉,厦门联芯已于今年2月成功试产采用28纳米High-K/Metal Gate工艺制程的客户产品,试产良率高达98%。

 

目前,联芯能同时提供Poly/SiON和High-K/Metal Gate工艺技术。

 

据介绍,联芯28纳米High-K/Metal Gate工艺制程采用了目前全球最先进的Gate Last制程技术,能大幅减少栅极的漏电量,提升晶体管的性能,可以应用于更多样化的各类电子产品。

 

对此技术突破,联芯首席执行官暨副董事长许志清表示非常开心,并期望未来进一步强化与客户合作,积极推动产品量产。

 

联芯集成电路制造项目位于福建省厦门市翔安区,本工程占地面积约25.5万平方米,总建筑面积约36.8万平方米。项目投资约62亿美元,分两个阶段实施,其中第一阶段建设全部厂房及构建筑物设施,并安装设备形2.5万片/月的生产能力;第二阶段在第一阶段基础上安装设备再形成2.5万片/月的生产能力。项目全部建成后形成12英寸、线宽55-28nm的集成电路芯片共5万片/月的生产能力。

 

可以说,联芯集成电路制造项目是海峡两岸合资建设的第一座12英寸晶圆厂,也是福建省目前投资金额最大的单体项目。联芯于2016年11月正式营运投产,目前公司正全力提速至满载产能。

 

(来源:集微网)