在4月15日由国家02重大专项实施管理办公室与合肥市人民政府等主办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”上，长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司CEO王宁国表示，合肥DRAM一期项目已开始设备安装，年底将启动生产8GB DDR4工程样品，2019年底实现单月产能2万片。

合肥DRAM项目即“506项目”，“506”项目包含合肥长鑫、长鑫存储、睿力集成三个运营主体项目的目标为自主发展主流 DRAM 存储器 IDM。

王宁国表示，合肥DRAM“506项目”一期总投资 534 元人民币，2018年1月一厂厂房建设完成，约300台研发设备已开始装机，装机后今年下半年将全力投片试生产。2018年底生产8Gb DDR4工程样品；2019年底实现产能2万片/月；2020年开始规划二厂建设；2021年完成17纳米技术研发。未来，希望用长鑫睿力 DRAM IDM 平台大力扶持国产半导体设备与材料的研发和产业化进程。

业界表示，长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目投产后预计将占据世界DRAM市场约8%的份额，填补国内DRAM市场的空白，合肥也因此将跨入世界级存储器制造重镇之列。

（来源：微电子制造）