据韩媒报道，近期 SK 海力士展开产线调整，欲将利川厂区内的旧 LCD 产线转换为半导体封装及测试用途，同时也会将现有的部分后段制程产线移转至此，并添购机台设备进行扩产。

据悉，SK 海力士增设产线的占地规模约 3000 坪，投资金额约 5000 亿韩元(约 4.6 亿美元)，完工后后段制程产线规模将比原本大 2 倍，启用时间暂订 2019 上半年。

2017 年开始，SK 海力士将 M14 工厂二楼的部分 NAND Flash 产线转换为生产 DRAM，工程还持续进行，未来每月 DRAM 的晶圆投片量可增加 2 万片。若搭配扩增的后段制程产线，届时将有更显著的产能效益。

韩国业界表示，2017 年底 SK 海力士在重庆投资 3000 亿韩元增设后段制程产线，这次在韩国利川增设的封测产线应是针对 DRAM 需求而来。2018 年以来，DRAM 市场持续处于供给短缺状态，这现象恐长期延续，因此让 SK 海力士决定在韩国扩大封测产能。

此外，业界认为 10 纳米级先进制程使每片晶圆可生产的存储器芯片数量增加，带动封测需求量提高，而封装体积缩小的趋势令后段制程重要性提高，这些也都是SK海力士决定加强后段制程能力的因素。

利川厂区是 SK 海力士的主要生产基地，碍于韩国法令以无法取得新腹地，目前该厂区由 SK 海力士与现代 Elevator(Hyundai Elevator)共享土地。这次 SK 海力士用来扩增封装产线的用地是以前现代电子出售 LCD 事业部给京东方时附带出租的土地，最近土地租约到期回收使用权，SK 海力士才得以扩增产线。

（来源：集微网）