长江存储的首台光刻机已于5月19日运抵武汉天河机场，设备相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后，即可运至长江存储的工厂。据集微网独家消息，这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机，售价7200万美元，用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程。这是长江存储的第一台光刻机，陆续还会有多台运抵。

在今年的4月5日，长江存储首批400万美元的精密仪器开始进场安装，标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。据悉，长江存储已经试产，产业链上不少企业都拿到了样片在测试。如顺利，今年四季度，中国首批拥有完全自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片有望实现量产。

紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全此前接受采访时曾强调，这仅是刚刚开始。32层3D NAND闪存芯片量产后，不会上很高的产量，更主要的是完成完全自主技术积累，若技术不够好，不会硬冲产量。此外64层闪存产品研发也在迅速进行，力争2019年底实现产能爬坡量产，这样就能把与全球领先大厂的差距缩短在2年以内。

紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国表示，我们希望5年站稳脚跟，别人没法把我们打出去，但真正的成功需要10年时间。芯片生产机台搬入。这正如航母舾装完毕，开始装配武器弹药，下一步就要在今年底实现芯片量产，出海远航。

（来源：集微网）