2018年6月29日，联电宣布，将收购与富士通半导体所合资的12吋晶圆厂三重富士通半导体股份有限公司 (MIFS) 剩余的全部股权。这是继2012年UMC关闭后，联电再度进军日本晶圆代工。

联华电子目前除拥有三重富士通15.9%的股份外，再受让富士通半导体所持有其余的84.1%股份，使三重富士通成为联华电子独资的子公司，交易金额不超过576.3亿日元（注：交易金额乃根据三重富士通资产负债表计算而得，实际金额可做调整）。预计在取得政府相关部门核准后，于2019年1月1日完成股权转让。

富士通半导体和联华电子于2014年达成协议，由联电取得三重富士通15.9%的股权；除了股权投资之外，双方更透过联华电子40纳米技术的授权、并于三重富士通建置40纳米逻辑生产线，进一步扩大了彼此的合作伙伴关系。经过多年的合作营运模式，有鉴于联华电子为半导体业界领先晶圆专工厂，拥有强大的业务基础、广泛的客户组合、专业的制造能力和广泛的产品技术，双方一致肯定将三重富士通整合至联华电子旗下的效益，并使三重富士通能将提供给包括客户在内所有利害关系人的价值最大化。

三重富士通在成为联华电子集团的成员后，公司名称和营运销售细节将于股权转让后尽速决定，在这段期间三重富士通仍将维持其现有的客户销售管道，继续为客户提供高质量的晶圆专工服务。

三重富士通的两座12寸厂房分别于2005年4月和2017年4月投产，B1厂采用90nm工艺；B2厂初始采用65nm工艺，2016年初开始40nm商用生产，2016年下半年40nm正式进入量产阶段。

联华电子共同总经理王石表示：联华电子正面临12寸成熟制程需求量的激增，随着5G、物联网、汽车和人工智能等领域新应用的爆发，我们预估未来市场需求力道将持续推升。收购合格且设备齐全的量产12吋晶圆厂，与花费数十亿美元和数年时间从头开始建置新的晶圆厂相比较，此一股权交易案在时间和投资报酬率上更具有优势。凭借联华电子在台湾、中国大陆和新加坡现有的12吋晶圆厂，三重富士通的加入，将可帮助我们的客户透过生产基地的布局，分散生产制造的风险并确保企业持续营运，这对于需要稳定不间断供货来源的汽车芯片制造商而言尤为重要。联华电子更能利用其数十年的世界级IC生产经验，结合日本当地人才和世界知名的质量标准，提供日本和国际客户更佳的服务。我们很高兴联华电子与富士通半导体之间坚实的合作关系，藉由购买三重富士通股权，让我们能够落实更进一步的成长，进而为客户及股东提供更高的价值。

富士通半导体社长曲渕景昌也表示：凭借公司在超低功耗制程、用于嵌入式应用的非挥发存储器、射频及毫微米波 (mmWave) 等技术之优势，以及获得汽车半导体客户认可，高可靠度生产系统、以及出色且经验丰富的员工，MIFS始终为客户提供高质量的晶圆专工服务。为了保持未来的增长并提供客户更高的价值，富士通半导体和富士通半导体社长曲渕景昌也表示：决定，藉由成为晶圆专工厂领导者联华电子集团的一员，进一步提升在全球半导体晶圆专工厂间的竞争力，是MIFS最佳的选择。我也期待，透过充分利用联电集团的优势，包含以充裕的财务资源为后盾、透过资本投资所驱动的专业能力及成本竞争力，加上联华电子于全球扩展业务的能力，MIFS将进一步成长而成为一家卓越的全球化公司。我相信MIFS的进一步发展，也将有助于维持并扩展MIFS所在当地的劳动人口和地方经济。

实际上这是联电第二度进军日本代工，联电第一次进军日本晶圆代工业是在20年前。1998年12月取得新日铁半导体(Nippon Steel Semiconductor Corp.)部分股权，双方共同经营新日铁位于日本千叶县馆山市(Tateyama, Chiba)的8寸晶圆厂；1999年更名为联日半导体株式会社；2009年12月联电收购新日铁持有的股份，设立日本全资子公司联电日本（UMCj）。

不过，1999年-2009年间，联日半导体/联电日本并未给联电带来太大的效益，但是为联电在日本拿下几家IDM大厂订单立功不小。

2010-2012年，因日本客户需求减缓，加上2011年日本大地震后，能源电力供应不稳定，生产环境不佳，联电日本工厂营运生产收益不佳，入不敷出，经营效益未能达到预期目标，联电2012年8月董事会决议结束日本晶圆制造业务，解散并清算联电日本。所有订单转给台湾厂及新加坡厂。

（来源：芯思想）