晶园工艺
 
英特尔大连、东芝FAB 6产能开出,SK海力士M15将于10月启用,引爆全球3D NAND混战
 2018-9-27
 

2018年9月21日,全球3D NAND两座新厂相继开出产能。

 

一是英特尔大连二期项目3D NAND存储芯片工厂投产。2015年10月,英特尔二期项目落户大连,生产3D NAND存储器芯片。经过三年时间,二期项目终于实现了建成投产。启动仪式上,英特尔宣布采用世界最先进的96层3D NAND存储芯片制造技术实现量产。据悉,二期项目总投资55亿美元。这将是英特尔的第一个独立NAND闪存工厂,将极大增强英特尔在NAND闪存和SSD硬盘市场的影响力。

 

二是东芝内存公司与西部数据位于日本三重县四日市的Fab 6一期存储芯片工厂投产。2017年2月工厂开工建设。仅仅18个月的时间,就开始生产。东芝表示,Fab 6专门用于制造3D闪存,生产96层3D BiCS Flash存储芯片。

 

在全球NAND闪存市场上,共有6 大玩家,其中三星份额达到37%,东芝、西数分别在20%、15%左右,接下来是美光、SK Hynix,英特尔是六家厂商中份额最少的,不足10%。

 

NAND全球混战

 

三星全面切换至3D NAND。其中华城Fab16从2016年3月开始,已将原有的16nm MLC产线和原有32层V-NAND产能全部转向48层V-NAND。西安工厂也在2016年开始将原有32层V-NAND产能转向48层V-NAND生产。华城Fab17在2017年Q1试产,按需求调节生产DRAM和NAND Flash,NAND Flash部分生产64层V-NAND。平泽Fab18 在2017年Q2试产,主要生产64层V-NAND。Fab12逐步做产线调整,目前开始生产64层V-NAND。

 

东芝的FAB3、Fab 4、Fab 5、Fab 5二期、Fab 2改建、Fab 6工厂全数投入生产3D NAND。

 

美光新加坡FAB 10N和2017年投产的Fab10X主要生产64层3D NAND,总产能约30万能片。位于美国本土的Lehi、Manassas两个工厂也是开足马力生产NAND FLASH。

 

SK海力士的M11、M12厂主力生产3D NAND,2017年提升至72层3D NAND量产。2017年8月新建清州M15,预计2018年10月启用,是SK海力士斥资15兆韩元(约134.7亿美元)兴建的高规格NAND Flash工厂,将生产72层3D NAND Flash与96层4D NAND Flash。

 

长江存储已经完成32层3D NAND生产,64层3D NAND已经研发成功,将于2019年量产。据悉,将跳过96层,直接研发128层3D NAND。第一座厂房的产能即将开出。

 

(来源:芯思想)