设备材料
 
我国集成电路材料设备企业最新技术进展概览
 2019-2-8
 

1月23日,华信研究院发布了《集成电路产业投融资白皮书(2018)》涉及集成电路产业发展和技术动态,对大陆主要集成电路设备、材料企业技术进展作出介绍。

 

大陆主要集成电路设备企业技术进展

 

上海微电子承担着多项国家重大科技专项以及02专项光刻机科研任务,前道制造光刻机最高可实现90nm制程,有望快速将产品延伸至65nm和45nm。

 

中微半导体刻蚀设备已经进入台积电7nm、10nm产线。据悉,中微半导体是7nm工艺被验证合格、实现销售的全球五大刻蚀设备供应商之一。

 

北方华创的硅刻蚀机、金属硬掩膜刻蚀机、PVD、CVD、ALD、氧化扩散炉、清洗机、快速退火设备等已实现14nm突破并推动量产,启动7/5nm研发。

 

沈阳拓荆自主研发的12 英寸PECVD设备通过中芯国际的产线验证并实现量产。

 

盛美半导产品主要是基于SAPS和TEBO技术的单晶圆清洗设备已经进入SK海力士、长江存储、上海华力等先进产线。

 

北京中科信在高能量、大束流和中束流离子注入机中均布局较为完成,大束流离子注入机已经进驻中芯国际。

 

中电科装备8英寸CMP设备已经进入中芯国际生产线进行工艺验证,12英寸设备在研发中。

 

上海睿励拥有12英寸晶圆全自动光学膜厚检测系统和关键尺寸、形貌检测系统等产品。

 

长川科技拥有数模混合测试机和功率测试机,已布局存储器、数字信号、模拟信号、SoC测试机研发。

 

大陆主要集成电路材料企业技术进展

 

上海新昇已实现12英寸硅片量产,目前产能为6万片/月。

 

浙江金瑞泓具备8英寸硅片12万片/月的产业化能力,掌握了12英寸硅片核心技术。

 

天津中环8英寸区熔硅片实现量产,12英寸晶体部分进入工艺评价阶段。

 

江丰电子超高纯金属溅射靶材产品已应用于国际先进制造工艺,16nm节点实现批量供货,满足国内厂商28nm节点的量产需求。

 

晶瑞股份产品包含紫外负型光刻胶和宽谱正胶及部分g线、i线正胶等高端产品,在国内率先实现i线光刻胶量产。

 

中船重工七一八所研制出四氟化硅、六氟乙烷、八氟丙烷、八氟环丁烷、氯化氢、氟化氢等9种高纯气体及10种混合气体并实现量产,三氟化氮、六氟化钨打破了国外垄断。

 

江化微电子生产的超净高纯试剂包括酸碱类试剂、蚀刻类试剂盒溶剂,大部分产品可达UL级和SL级,其中UL级等同于美国SEME C7标准,SL级等同于美国SEME C8标准。

 

鼎龙股份CMP抛光垫产品已获得客户认证并取得订单,并在28nm以下先进制程领域也有布局。

 

(来源:集微网)