9月20日，合肥长鑫在合肥召开的2019世界制造业大会上，宣布总投资约1500亿元的存储内存芯片自主制造项目投产。合肥长鑫现场展示了8Gb DDR4芯片，采用19纳米工艺生产，和国际主流DRAM工艺基本保持同步，一期设计产能每月12万片晶圆。

长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示，8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

根据长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱在日前举办的中国闪存技术峰会(CFMS)上的介绍，合肥长鑫基于授权所得的奇梦达相关技术和从全球招揽的极具丰富经验的人才，长鑫存储借助先进的机台已经把原本奇梦达的46纳米 DRAM平稳推进到了10纳米级别。公司目前也已然开始了在EUV、HKMG和GAA等目前还没有在DRAM上实现的新技术探索。

2017年3月合肥长鑫12英寸项目一期厂房开工建设；2018年1月一期厂房建设完成开始设备安装；2018年底19纳米8GB DDR4工程样片下线。合肥长鑫的投产，将有助于我国DRAM芯片实现进口替代。

（来源：中国电子报、电子信息产业网）