第三代半导体
 
有关厂商都在积极布局功率碳化硅
 2019-10-16
 

随着EV电动汽车和5G市场需求的不断增长,有关厂商都在积极布局功率碳化硅。

 

据Yole近日发布的《功率碳化硅(SiC):材料、器件及应用-2019版》报告中预计,到2024年,碳化硅功率半导体市场规模将增长至20亿美元,2018-2024年期间的复合年增长率将高达29%。其中,汽车市场无疑是最重要的驱动因素,其碳化硅功率半导体市场份额到2024年预计将达到50%。也有预测指出,在未来2-3年内,8英寸SiC晶圆将会“登场”,如果真的可以实现,现存的半导体工厂的量产将会更加容易,投资可能会更加活跃。一方面,SiC器件具有高压、高频和高效率的优势,在缩小体积的同时提高了效率,给市场带来的机遇也远远大于挑战。但另一方面,SiC在制造和应用方面又面临很高的技术要求,如何降低使用门槛成为业界热议的话题。

 

过去的两三年里,晶圆供应短缺一直是制约SiC产业发展的重大瓶颈之一。面对不断增长的市场需求,包括晶圆厂在内的众多重量级玩家已经意识到必须扩大投资,以支持供应链建设。SiC晶圆的供应商,除了Cree(科锐),还有美国的II-IV(Two Six)、美国Dow(陶氏集团)、罗姆旗下的德国Si Crystal等,中国的新兴厂商也在逐步增多。

 

除此,Aixtron(爱思强),东京电子、NuFlare Technology, Inc.、意大利的LPE等相关设备供应商也积极进军SiC设备市场,以满足SiC产业相应的设备需求。

 

(协会秘书处)