12月15日，三星（中国）半导体有限公司12英寸闪存芯片二期第二阶段项目正式启动。

据了解，三星电子一期投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目；二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片。其中，二期项目第一阶段投资约70亿美元，明年3月竣工投产；第二阶段投资80亿美元，2021年下半年竣工。

二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元。三星（中国）半导体有限公司董事长任伯均表示，二期项目建成后，三星（中国）半导体公司将成为世界领先的闪存芯片生产基地。

（JSSIA整理）