第三代半导体
 
江苏天科合达半导体碳化硅项目顺利建成投产
 2019-12-30
 

2019年12月27日,江苏天科合达半导体有限公司投产仪式在徐州经济技术开发区凤凰湾电子信息产业园举行。中国科学院物理研究所党委书记文亚,华芯投资管理有限责任公司投资一部总经理汤树军,北京天科合达半导体股份有限公司法人代表、总经理,江苏天科合达半导体有限公司董事长杨建等一批半导体业内精英共百余人参加了投产仪式。

 

文亚书记、田笑明局长、高随祥书记、才华会长、陈明书记、戴雷主任、汤树军总经理、陈小龙主任、杨建董事长和许恒宇总经理共同上台启动投产按钮,标志着江苏天科合达半导体有限公司在徐州开启新的篇章。

 

据了解,江苏天科合达半导体项目总投资5亿元,占地面积26000平方米,可实现年产4-8英寸碳化硅衬底6万片,该项目顺利建成投产标志着天科合达的碳化硅产业化进程跨出了关键的一步,同时也标志着我国第三代半导体碳化硅衬底产业的发展进入一个崭新的阶段。

 

(来源:集微网)