铠侠1月31日宣布，已研发出3D NAND Flash“BiCSFLASH”的第5代产品，采用堆叠112层制程技术，且已完成试作、确认基本动作。

该款堆叠112层的3DNAND试作品为512Gb（64GB），采用3bit/cell（TLC：TripleLevelCel）技术的产品，预计将在2020年第一季进行样品出货，除将用来抢攻需求持续扩大的资料中心用SSD、商用SSD、PC用SSD及智能手机等市场外，也将用来抢攻5G、人工智能（AI）、自动驾驶等新市场需求。

和铠侠目前已量产的96层3DNAND产品相比，112层3DNAND每单位面积的记忆容量提高约20%，且每片晶圆所能生产的记忆容量增加，每bit成本也下滑。

铠侠指出，该款112层3DNAND产品为该公司和合作伙伴美国WesternDigital（WD）所携手研发完成，今后将利用双方共同营运的四日市工厂以及北上工厂进行生产，且今后也计划推出采用堆叠112层制程技术的1Tb（128GB）TLC产品以及1.33Tb的4bit/cell（QLC：Quadruple-LevelCell）产品。关于上述112层3DNAND的量产时间，WD宣布预定将在2020年下半年。

铠侠竞争对手南韩三星电子已于2019年6月开始量产堆叠100层以上的3DNAND产品。

（来源：MonerDJ/JSSIA整理）