小米在日前举行的新品发布会上推出了氮化镓65W充电器引起市场对于第三代半导体的广泛关注。

中信证券最新研报认为，目前市面上已有多家厂商布局GaN快充，预计随着用户对便携性的需求提高，2025年全球GaN快充市场规模有望达600多亿元，同时加速GaN芯片在其他新兴领域对Si基产品的替代。

据小米介绍，小米氮化镓充电器具备65W功率，体积却只有同样功率的传统充电器的一半，具备小巧、高效、发热低等优点。让小米充电器具备如此多优点的“功臣”，就是氮化镓材料。

氮化镓(GaN)是第三代半导体材料之一。与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。

国内已经有不少企业抢滩第三代半导体。据了解，包括华为海思，三安光电、闻泰科技、士兰微、华润微、海特高新、华微电子、扬杰科技等在内的多家公司均已积极布局第三代半导体。小米此次的充电器采用纳微（Navitas）半导体的GaNFast充电技术。

（来源：集微网）