近日，华虹宏力提供一种硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，该方法不仅可以降低氮化镓产品的生产成本，还能实现氮化镓产品和硅半导体产品的集成。

氮化镓产品作为第三代半导体中的代表材料具有宽带隙、高临界电场、高电子迁移率和电子饱和速度等特点，高耐压和高频是 GaN 器件的主要优点并在功率和射频等器件中优势相当明显。

为此，华虹宏力申请了一项名为“硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法”的发明专利（申请号：201910418758.X），申请人为上海华虹宏力半导体制造有限公司。

（来源：与非网）