当前在芯片制造中最先进的EUV（极紫外光刻）工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。

3月25日，三星电子（Samsung Electronics）宣布，已经出货100万业界首款10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估，并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。

据了解，三星是第一个在DRAM生产中采用EUV来克服DRAM扩展方面的挑战的厂商。得益于EUV技术，可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤，并进一步提升产能。

三星表示，将从第四代10nm级（D1a）DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV，明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。

不过，目前支持DDR5的PC平台尚未亮相，LPDDR5倒是已经逐渐铺开。三星量产的第一代EUV DDR5 DRAM单芯片容量为16Gb（2GB）。为了更好地满足对下一代高端DRAM日益增长的需求，三星将在今年下半年内在韩国平泽市启动第二条半导体制造线的运营。

除了10nmEUV工艺的存储芯片外，三星也正在推进5nm及以下制程的EUV工艺。外媒报道称，三星已经从半导体设备生产商那里订购了5nm工艺生产的相关设备，目前已经开始在华城V1工厂内建立了一条5nm的晶圆代工生产线。据悉相关的设备组装需要两个多月，按照进度来看，今年6月份以前，三星应该能够安装完所有的设备。

如无意外，三星将在今年年底进行5nm EUV工艺的量产。对比三星的竞争对手台积电，台积电已经宣布将在最早4月份进行5nm EUV工艺的量产，所以三星与台积电之间的差距应该在半年左右。

三星半导体曾公开表示，希望在2030年之前超越台积电，成为全球晶圆半导体业务的领导者。据悉在三星5nm正式量产后，将负责高通下一代5nm旗舰芯片和X60 5G基带芯片的生产。

（来源：微电子制造）