据韩联社报道，12月7日，SK海力士宣布，已成功研发出基于三层存储单元（TLC）的176层512Gb NAND闪存。

SK海力士介绍，与上一代128层产品相比，第三代4D NAND闪存生产率提高了35%以上，进而增强了产品成本竞争力。

同时，该产品采用了新的“两段式单元区域选择技术”，读取速度比上一代加快20%，数据传输速度达到每秒1.6Gb，提高了33%。

据悉，SK海力士上月已送样给控制器厂商，计划明年年中开始量产。

（JSSIA整理）