第三代半导体
 
斯达半导拟投35亿,建SiC芯片/功率半导体模块等项目
 2021-3-4
 

3月2日,嘉兴斯达半导体股份有限公司(以下简称“斯达半导”)发布2021年度非公开发行A股股票预案,公司拟定增不超35亿元,投建SiC芯片/功率半导体模块等项目。

 

公告显示,斯达半导本次非公开发行股票募集资金总额不超过35亿元(含本数),募集资金扣除相关发行费用后将用于投资高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目、功率半导体模块生产线自动化改造项目、以及补充流动资金。

 

其中高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目由斯达半导全资子公司嘉兴斯达微电子有限公司负责实施,总投资金额20亿元。

 

项目拟通过新建厂房及仓库等配套设施,购置光刻机、显影机、刻蚀机、PECVD、退火炉、电子显微镜等设备,实现高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化。项目达产后,预计将形成年产36万片功率半导体芯片的生产能力。

 

功率半导体模块生产线自动化改造项目由嘉兴斯达半导体股份有限公司负责实施,总投资金额为7亿元。

 

该项目拟利用现有厂房实施生产线自动化改造项目,购置全自动划片机、在线式全自动印刷机、在线式全自动贴片机、在线式全自动真空回流炉、在线式全自动清洗机等设备,实施功率半导体模块生产线自动化改造项目。项目达产后,预计将形成新增年产400万片的功率半导体模块的生产能力。

 

斯达半导表示,实施以IGBT、SiC模块为主的功率半导体模块生产线自动化改造项目,将进一步扩大公司产能,有助于提高市场占有率。

 

(来源:微电子制造)