晶园工艺
 
东芝新建300mm晶圆厂,用于生产MOSFET和IGBT
 2021-3-12
 

3月11日,东芝电子元件及存储装置株式会社将通过日本的Kaga Toshiba Electronics Corporation建设300mm晶圆制造厂,扩大功率器件的产能。新生产线的量产将于2023财年上半年开始。

 

目前,东芝已经通过扩大Kaga Toshiba Electronics Corporation的200mm晶圆工厂的产能来满足需求。该公司将在目前200mm生产线的同一地点建造新的300mm工厂。新的300mm生产线将用于制造低压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

 

东芝表示,将根据市场情况做出进一步投资的决定,以增加产量,同时还将继续扩大日本半导体公司(主要生产系统LSI的制造子公司)在功率器件等分立半导体上的生产。

 

(来源:拓墣产业研究)