最新消息显示，SK海力士将投资120万亿韩元（约合1060亿美元）用于新的半导体工厂部署。相关人士透露，韩国已经批准了当地芯片制造商SK海力士的建设新半导体工厂的项目，SK海力士的新半导体工厂将设在首尔以南50公里的龙仁。

此前，SK海力士产业投资主席李丙德曾表示，公司正积极应对芯片供应紧张的局面，在积极满足市场需求的同时，将努力扩大战略性产品的比重。现在看来，耗巨资来建工厂似乎是“积极应对芯片供应紧张局面”的重要举措之一。

目前，SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176层堆叠的3D NAND，但3D NAND有没有可能用600层堆叠？比起176层堆叠的3D NAND，600层似乎是对现有工艺和技术的极大挑战。但是，根据李锡熙分享的有关SK海力士的业务计划，600层堆叠的3D NAND并非完全空想。

李锡熙称，SK海力士已经开始了实现这种可能性的研发进程。DUV光刻技术存在局限性，而通过引入和积极使用EUV光刻技术，能够克服来自材料、结构、可靠性等方面的种种挑战，使制程工艺轻易达到10nm以下，以此提升生产效率。李锡熙希望，未来10年内，SK海力士能够大规模量产采用10nm工艺的DRAM和600层堆叠的3D NAND。

（来源：中国电子报、电子信息产业网/JSSIA整理）