联电产能供不应求，今年资本支出大增五成至15亿美元。联电表示，今年多数资本支出将用于扩建南科P5厂，主要以12英寸28纳米以下制程为主，聚焦5G智能手机、数据中心边缘运算、电动车与自动驾驶等，发展所需的各式晶圆特殊制程技术及产能布建。

联电去年营运大翻身，获利创14年新高，每股纯益为20年新高，今年受惠智能手机、远距应用及车用电子等需求畅旺，联电产能利用率维持满载。

为了满足客户强劲需求，联电今年资本支出将达15亿美元，较去年的10亿美元增加50%，其中，85%的资本支出将投入12英寸厂，主要以28纳米以下制程为主，15 %的资本支出投资8英寸厂。

联电共同总经理王石先前表示，预估今年28纳米的营收贡献将由去年14%占比大幅提高到25%，这代表联电今年营收与获利将持续成长。

联电董事长洪嘉聪强调，联电未来三年仍会加码投资台湾，拟扩充南科台南厂的产能。洪嘉聪指出，联电拥有成熟先进制程，目前在全球已获半导体专利权总件数达14000件，同时联电秉持根留台湾、深耕台湾的初衷，近十年资本支出累计投资金额达3,500亿元。

（来源：半导体行业观察/JSSIA整理）