5月6日，IBM宣布造出全球第一颗2纳米工艺的半导体芯片。

据称其晶体管密度为333.33百万颗晶体管，为台积电5nm密度的两倍（台积电3纳米工艺制造晶体管密度为292.21百万颗），在150平方毫米（指甲盖大小面积）能容纳500亿颗晶体管。其性能较7纳米高出45%，功耗减少75%。据IBM称，该芯片实现栅长12纳米，采用GAA（环绕栅极晶体管）技术和第一次使用底介电隔离通道，其内部间隔是第二代干法设计，有助于纳米片的开发；并第一次使用EUV曝光FEOL部分过程。其突破性技术是展示了采用2纳米CMOS工艺在标准300毫米硅晶圆上蚀刻出真实芯片的过程。

IBM在1997年发明铜互连技术，2000年发明硅绝缘子技术、2001年发明低K电介质，在DRAM自研3D芯片堆叠技术等，都使半导体制程技术得到了飞跃，作出贡献。2014年IBM把制程低价给了格芯，成就了格芯，格芯止步于7纳米

（协会秘书处）