据外媒报道，三星日前表示，采用GAA架构的3纳米制程技术已正式流片（TapeOut）。

外媒报道指出，三星3纳米制程流片进度是与新思科技（Synopsys）合作，加速为GAA架构的生产流程提供高度优化参考方法。因三星3纳米制程不同于台积电或英特尔的FinFET架构，而是GAA架构，三星需要新设计和认证工具，因此采用新思科技的FusionDesignPlatform。制程技术的物理设计套件（PDK）已在2019年5月发布，并2020年通过制程技术认证。预计此流程使三星3纳米GAA结构制程技术用于高性能运算（HPC）、5G、行动和高阶人工智能（AI）应用芯片生产。

GAA（Gate-all-around）架构是周边环绕着Gate的FinFET架构。照专家观点，GAA架构的晶体管提供比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。这主要表现在同等尺寸结构下，GAA的沟道控制能力强化，尺寸进一步微缩更有可能性。相较传统FinFET沟道仅3面被栅极包覆，GAA若以纳米线沟道设计为例，沟道整个外轮廓都被栅极完全包裹，代表栅极对沟道的控制性更好。

三星代工设计技术团队副总裁SangyunKim表示，三星代工是推动下一阶段产业创新的核心。三星将藉由不断发展技术制程，满足专业和广泛市场增长的需求。三星电子最新且先进的3纳米GAA制程技术，受惠于与新思科技合作，FusionDesignPlatform加速准备，有效达成3纳米制程技术承诺，证明关键联盟的重要性和优点。

新思科技数字设计部总经理ShankarKrishnamoorthy也表示，GAA晶体管结构象征着制程技术进步的关键转折点，对保持下一波超大规模创新所需的策略至关重要。新思科技与三星战略合作支持提供一流技术和解决方案，确保发展趋势延续，以及为半导体产业提供机会。

（来源：EETOP/JSSIA整理）