碳化硅（SiC）是目前综合性能最好、商品化程度较高、技术较为成熟的第三代半导体材料。SiC功率器件的研发始于20世纪90年代，目前已成为新型功率半导体器件研究开发的主流，产业链主要包含单晶材料、外延材料、器件、模块和应用这几个环节。

全球SiC市场规模不断扩大，美国企业处于龙头地位。根据IHS Markit数据，2019年SiC功率器件市场规模约6.1亿美元，受新能源汽车等领域较大需求的驱动，2025年全球SiC功率器件的市场规模将达到30亿美元，年均复合增速达到30.4%。

在国家产业政策的支持和引导下，国内SiC晶片产业发展大幅提速。目前国内SiC产品80%左右依赖进口，国产替代空间较大。以天科合达为代表的第三代半导体材料制造企业经过十余年的自主研发，实现了设备研制、原料合成、晶体生长、晶体切割、晶片加工、清洗检测的全流程自主可控，有能力为下游外延器件厂商稳定提供高品质SiC晶片，为SiC下游厂商实现进口替代提供了条件。

未来伴随国内新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等行业的快速发展，国内SiC材料产业规模和产业技术将得到进一步提升。随着电动汽车市场的扩大，SiC功率半导体市场需求激增，据Yole Development数据显示，预计2024年SiC市场规模达到9.46亿美元，年均复合增长率达到29%。2019年，全球新能源汽车SiC二极管和晶体管市场规模2600万美元，预计2021年市场规模达到5700万美元。DIGITIMES Research预计到2025年，电动汽车用SiC功率半导体将占SiC功率半导体总市场的37%以上，高于2021年的25%。预计2025年SiC汽车市场将拥有38%的年均增长率，市场规模将超过15亿美元。

（协会秘书处）