10月12日，三星宣布开始量产基于极紫外光(EUV)技术的14纳米DRAM芯片。

继去年3月推出首款EUV DRAM后，此次三星将使用EUV的层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。

2020年7月，JEDEC协会正式公布了DDR5标准。与DDR4相比，DDR5具有更高的性能和更低的功耗。三星的14纳米DRAM的速度高达7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快两倍多。

随着DRAM工艺不断缩小至10纳米范围，EUV技术变得越来越重要，因为它能提升图形准确性，从而使芯片具有更高性能，获得更大产量。通过在14纳米DRAM中应用5个EUV层，三星可以获得更高的单位容量，整体晶圆生产率提升了约20%。与上一代DRAM工艺相比，14纳米工艺还可降低近20%的功耗。

三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外，三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。

（来源：中国电子报、电子信息产业网/JSSIA）