11月4日，射频解决方案的领先供应商Qorvo宣布，公司已收购位于新泽西州普林斯顿的United Silicon Carbide（UnitedSiC）——一家领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商。

据介绍，收购United Silicon Carbide将Qorvo的影响力扩大到快速增长的电动汽车（EV）、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场。据报道，在收购之后，United Silicon Carbide将成为Qorvo基础设施和国防产品（IDP）业务的一部分，由Chris Dries博士领导，Chris Dries博士曾任United Silicon Carbide总裁兼首席执行官，现在是Qorvo功率器件解决方案的总经理。

Qorvo IDP总裁PhilipChesley表示：UnitedSiC的加入，显著扩大了Qorvo在高功率应用领域的市场机会；此次收购使Qorvo能够提供高价值、一流的智能电源解决方案，涵盖电源转换、运动控制和电路保护应用。

United Silicon Carbide的产品组合现在涵盖80多种SiCFET、JFET和肖特基二极管器件。基于独特的共源共栅配置，最近发布的第4代SiCFET的额定电压为行业领先的750V和5.9毫欧RDS(on），实现了对EV充电器、DC-DC转换器和牵引驱动器至关重要的SiC效率和性能的新水平，以及电信/服务器电源、变速电机驱动器和太阳能光伏（PV）逆变器。

（JSSIA整理）