杭州日报消息，昕原半导体主导建设的国内首条28/22nm ReRAM（阻变存储器）12寸中试生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的通线，并成功流片（试生产）。

存储芯片中除了NAND闪存及DRAM内存之外，还有多种技术选择，ReRAM(非易失性阻变式存储器)就是其中一种，其写入寿命可达100万次。

昕原自行搭建的28/22nm ReRAM 12寸中试生产线，汲取了代工厂和实验室的长处，迭代速度快，产线灵活，拥有自主可控的知识产权，使得ReRAM相关产品的快速实现变成了可能。

（JSSIA整理）