功率半导体制造商英飞凌2月17日宣布，将投资超20亿欧元（约合144亿元人民币）以提高第三代半导体（碳化硅SiC和氮化镓GaN）领域的制造能力。

英飞凌表示，将在位于马来西亚居林的工厂建造第三个厂区，以大幅增加产能，一旦完工，新工厂将产生20亿欧元的额外年收入，为当地带来900个工作岗位。

新厂区主要涉及外延工艺和晶圆切割等关键工艺，将于6月开始施工，预计第一批晶圆将于2024年下半年下线。

英飞凌还将持续为其第三代半导体业务注资。它透露，将在未来几年把奥地利菲拉赫的6英寸、8英寸硅基半导体生产线改造为第三代半导体生产线。

（来源：全球半导体观察/JSSIA整理）