4月12日，株洲中车时代电气发布关于自愿披露控股子公司投资碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目的公告。根据公告，公司控股子公司株洲中车时代半导体拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目。

公告显示，碳化硅芯片生产线相关项目主要对湖南省株洲市田心工业园区内碳化硅芯片线厂房进行改造升级，改造既有设备，新增工艺设备及工艺辅助设备，信息化软件新增或实施服务；装修洁净室，配套进行厂务扩容，新增公用设备。

项目建成达产后，将现有平面栅SiC MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiC MOSFET芯片研发能力，将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸，将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。

时代电气表示，通过本项目实施，形成面向新能源汽车、轨道交通方向的SiC芯片量产生产线，并进一步研发高性能的新产品，可以进一步推进中车时代半导体工艺技术进步，提升产业化水平。

（来源：全球半导体观察/JSSIA整理）