近日，设计和制造创新半导体材料的行业领导者Soitec宣布，已发布其首款200毫米碳化硅SmartSiC晶圆。

据报道，其200mm尺寸的SmartSiC衬底来自Soitec在格勒诺布尔CEA-Leti的衬底创新中心的试验线。该版本使Soitec能够展示200毫米SmartSiC晶圆的质量和性能，并进行第一轮关键客户验证。

Soitec于2022年3月在法国Bernin4启动了新晶圆厂的建设。该晶圆厂主要致力于制造150毫米和200毫米的SmartSiC晶圆，预计将于2023年下半年投入运营。

据介绍，新产线将使用Soitec专利的SmartCut技术来生产创新型SmartSiC™优化衬底，该种衬底由Soitec位于格勒诺布尔的CEA-Leti的衬底创新中心研发。目前，Soitec已经与主要的碳化硅器件制造商展开基于SmartSiC合作，预测将于2023下半年开始实现该产品的盈利。

（来源：半导体行业观察）