5月12日，美光宣布推出具有232层的3D NAND存储器。该公司计划将其新的232层3D NAND产品用于包括固态驱动器在内的各种产品，并计划有时在2022年末开始增加此类芯片的生产。

美光的232层3D NAND设备采用3D TLC架构，原始容量为1Tb。该芯片基于美光的CMOS阵列下(CuA)架构，并使用NAND串堆叠技术在彼此之上构建两个3D NAND阵列。

美光没有公布其新型232L 3D TLC NANDIC的I/O速度或平面数量，但暗示新内存将提供比现有3D NAND设备更高的性能，这对于下一代SSD尤其有用具有PCIe5.0接口的SSD特别有用。

（来源：EETOP/JSSIA整理）