联电日前发布公告称，新加坡Fab12i厂区扩建新厂P3开始动工，已向JTC集团取得30年土地使用权，估计总金额约9.54亿元新台币。

新厂第一期的月产能规划为30000片晶圆，预计于2024年底开始量产。这座新厂(Fab12i P3)是新加坡最先进的半导体晶圆代工厂之一，提供22／28纳米制程，总投资金额为50亿美元。

联电在新加坡投入12英寸晶圆制造厂的营运已超过20年，新加坡Fab12i厂也是联电的先进特殊制程研发中心。加计Fab12i的扩建计画，联电在2022年的资本支出预算将提高至36亿美元。

由于5G、物联网和车用电子大趋势的带动，对联电22／28纳米制程需求的前景强劲，因此新厂所扩增的产能也签订了长期的供货合约，以确保2024年后对客户产能的供应。

（来源：微电子制造）