联电7月6日发布公告称，位于新加坡的新厂将以租地委建方式兴建Fab12i P3厂房，契约总金额88.13亿元新台币，供生产使用。

根据联电的规划，新厂第一期月产能为3万片，预计将在2024年底量产，以22nm及28nm制程为主力，主要针对5G、物联网和车用电子的需求，新厂总投资金额为50亿美元。

此外，联电不久前还对外宣布，除在新加坡Fab 12i扩建的新厂计划外，还将与车用电子大厂日本电装公司策略合作，在联电日本12英寸厂生产车用IGBT，将有望打进日系车厂的车用电子及电动车供应链。

（JSSIA整理）